01 后端专家2v1带您实战！
呕心沥血——景芯12nm车规中后端UPF hierarchy实战项目出炉！这一次剑走偏锋，我们的实战只靠文档+一对一辅导！不提供视频！基于景芯团队丰富的SoC/MCU芯片定制经验，我们特选取景芯SoC HD6860项目中的车规处理器（安全岛架构）进行后端全流程实战培训。
【重磅】实战项目原为hierarchy TOP的后端设计，为了满足大家不同层次需求，实战训练营将原工程拆分为core层和TOP层两个工程供大家选择实战。注意：TOP层包括core层。这是我们的招牌课程！牛不牛？大家说了算！
在每个阶段PR结束之后，对子模块或者TOP顶层进行Calibre DRC, LVS，EM，ERC，ANT，ESD等检查，StarRC抽参，STA，lc生成lib文件等。使用xtop/pt进行timing eco修复setup/hold违例，LEC逻辑等价性检查。VCLP低功耗设计静态检查，voltus功耗和压降评估，redhawk功耗和IR Drop分析，后仿真等等。课程的设置真的非常全面，涵盖了芯片DFT+后端物理完成直到tapout的全流程。
整个项目基于innovus+tessent构建，主要包括芯片顶层的Partition、子模块的DFT+PR和TOP顶层的DFT+PR三个阶段。
在每个阶段PR结束之后，对子模块/TOP顶层进行Calibre DRC, LVS，EM，ERC，ANT，ESD等检查，StarRC抽参，STA，lc生成lib文件等。使用xtop/pt进行timing eco修复setup/hold违例，LEC逻辑等价性检查。VCLP低功耗设计静态检查，voltus功耗和压降评估，redhawk功耗和IR Drop分析，后仿真等等。课程的设置真的极其全面，涵盖了芯片DFT+后端物理实现直到tapout的全流程。
02core flat实战课目录
Part.01
core flat实战课目录之pre-APR
Part.02
core flat实战课目录之APR+PV
Part.03
core flat实战课目录之STA
Part.04
core flat实战课目录之LEC
Part.05
core flat实战课目录之PA
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TOP hierarchy实战课目录
Part.06
TOP hierarchy实战之TOP
Part.07
TOP hierarchy实战之CTS基础
Part.08
TOP hierarchy实战之CTS高级
Part.09
TOP hierarchy实战之高级hierarchy实战
Part.10
TOP hierarchy实战之Tweaker
掌握FinFET工艺的后端工程师是芯片公司的核心资源。12nm及以下项目经验成为求职时的“硬通货”，尤其是参与过景芯12nm流片（Tape-out）的工程师。下一代工艺（如3nm的GAAFET）的许多挑战与FinFET一脉相承（如3D结构建模、复杂寄生参数提取），早期积累的经验对未来技术升级至关重要。若后端工程师不掌握12nm先进工艺，将无法参与主流芯片项目。
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FinFET工艺的数字后端难在哪里？
半导体行业长期遵循摩尔定律（晶体管密度每18-24个月翻倍），推动工艺节点不断缩小（如12nm、7nm、5nm等）。12nm及以下节点采用FinFET结构，FinFET通过三维立体结构（鳍片）增强栅极对沟道的控制，显著降低了漏电流（Leakage Power），同时提高了驱动电流（性能），克服了传统平面晶体管（Planar FET）在更小节点下的漏电流和功耗失控问题。FinFET工艺难点主要体现在：
物理效应加剧：在12nm及以下节点，量子效应、工艺波动（PVT）、寄生效应（RC Delay）、电迁移（EM）等问题更加显著，后端工程师需要应对更复杂的时序收敛（Timing Closure）、信号完整性（SI）和功耗优化（如动态IR Drop）。
设计规则复杂化：先进工艺的设计规则（DRC/LVS）和制造约束（DFM）成倍增加，例如多重曝光（Multi-Patterning）、Fin切割规则、金属层堆叠等，得后端工具和流程的全面升级。
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景芯12nm车规中后端实战课的价值
AI训练、数据中心、GPU/TPU等需要超高算力和能效比的芯片，必须依赖先进工艺的FinFET甚至更先进的GAAFET（环绕栅极晶体管）。智能手机、物联网设备等对功耗极其敏感，12nm以下FinFET工艺在性能（频率）和功耗（电池续航）之间提供了更优的平衡。
先进工艺芯片（如手机SoC、AI加速器）的利润远高于成熟工艺（如40nm/28nm），企业倾向于将资源集中在高价值项目。虽然12nm以下工艺的流片成本高达数千万美元，但单芯片成本（尤其是高性能芯片）可能更低，推动设计公司必须采用先进工艺。
尽管先进工艺的设计复杂度更高，但这是半导体行业向更高性能、更低功耗、更小面积发展的必经之路。数字后端工程师参与12nm及以下FinFET项目，不仅是技术发展的必然要求，也是市场需求和职业竞争力的直接体现。对于工程师而言，掌握FinFET节点的后端设计能力，等同于掌握了未来十年芯片行业的核心技术话语权。
课程报名微信：
景芯全流程实战附属【知识星球】，一个包括设计、验证、DFT、后端全流程技术的交流平台，也是景芯学员的答疑平台！欢迎扫码加入星球！
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限时间赠送A72 2.5GHz实战项目，云服务器资源有限，仅送3份！
2.5GHz 12nm 景芯SoC 高性能CPU hierarchy UPF DVFS 后端实战训练营！计划手把手一对一辅导！随到随学！
课程采用hierarchy/partition flow，先完成单核CPU实战，之后完成TOP实战！训练营简介：
Instance：315万
Gate count：2600万
Frequency: 2.5GHz
Power domain：7个，hierarchy UPF设计
EDA工具有VCS/Fusion Compiler/VCLP
EDA工具有innovus/Starrc/PT/Voltus/formality/LEC/Calibre
EDA器具有Redhawk-sc全网首发python版
授课形式：视频+文档+上机实践，真实项目flow，一对一答疑！
ICer加班太多，计划采用视频模式，随到随学！
参与景芯SoC的12nm 高性能CPU训练营，您将掌握以下知识：
掌握hierarchy UPF文件编写，掌握Flatten UPF记录编写、UPF验证。本项目采用hierarchy UPF方式划分了7个power domain、voltage domain。
掌握power switch cell，包括SWITCH TRICKLE、SWITCH HAMMER。掌握低功耗cell的用法，选择合适的isolation cell、level shifter等低功耗cell。
掌握Power gating，Clock gating设计技能。
ULVT，动态功耗小，skew小。就是掌握Multi-VT设计技术，本项目时钟树都
掌握DVFS技术，ss0p9 2.5GHz、ss0p72 2.0GHz,，其中sram不支持ss0p63。要做ss0p63的话，给sram vddm单独一个0p7v的电源即可。
掌握multibit cell的用法，本计划CPU里面的mb高达95%，选择合适的multibit cell得到超高的CPU利用率。INNOVUS里面一般不做mb的merge和split。所以前后一样的，一般综合做multibit的merge split。
根据TOP Floorplan DEF进行CPU子系统的partition以及pin assignment。
Top的Power stripe的规划及其push down。
SpecifyBlackBox，将CPU core镜像partition。
手动manual cut the BlackBox的途径，掌握复杂的floorplan设计方式经验。
VerifyPowerDomain，检查低功耗划分以及UPF的正确性。
Pin assignment，根据timing的需求进行合理的pin脚排布，并解决congestion问题。
掌握Timing budget。
掌握利用Mixplace实战CPU的自动floorplan，掌握AI的floorplan方法学。
掌握Fusion compiler DCG，利用fusion compiler来完成DCG综合，进一步优化timing与congestion。
掌握hierarchy ICG的设计方法学，实战关键ICG的设置与否对timing的重大影响。
掌握Stapling手艺，实战power switch cell的布局和特殊走线的方法学，掌握CPU子系统的powerplan规划及完成，保证CPU子系统和顶层PG的alignment。
掌握CPU子系统和TOP的时序接口优化。掌握TOP isolation cell的placement以及isolation cell input电学特性检查。
掌握TOP和CPU子系统的clock tree Balance优化处理，common clock path处理。时钟树结构trace和时钟树评价。
CPU子系统的DRC/LVS检查
TOP系统的DRC/LVS检查
Hierarchy & Flatten LVS检查原理及实现方法
静态时序分析&IR-Drop
DMSA flow
根据Foundry的SOD（signoff doc）的Timing signoff标准建立PT环境。
Star RC寄生抽取及相关项检查
Timing exception分析，包括set_false_path、set_multicyle_path解析。
PT timing signoff的Hierarchical和Flatten Timing检查
PT和PR timing的差异分析、Dummy insertion和with dummy的Timing分析
IR-Drop分析
训练营部分文档：
Flow：Partition Flow
时钟结构分析：
复位结构分析：
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学员好评
先说结论：课程内容非常全面，讲解到位，会有专门的工程师一对一答疑，整个项目跑下来提升非常大，绝对物超所值！
一些细节：
本人微电子专业研一在读，有过两次简单的数字芯片流片经历，出于学习和科研需要，报名了景芯SoC的12nm 高性能CPU UPF DVFS后端课程。
整个项目基于innovus实现，关键包括芯片partition、maia_cpu的PR和MAIA顶层的PR三个阶段。在每个阶段PR结束之后，对maia_cpu ip核/MAIA顶层进行Calibre DRC, LVS检查，StarRC抽参，pt抽参，lc生成lib记录，使用xtop/pt进行timing eco修复setup/hold违例，LEC逻辑等价性检查，VCLP低功耗设计静态检查，voltus功耗和压降评估，redhawk功耗和IR Drop分析等等。个人觉得课程的设置真的特别全面，涵盖了芯片后端物理搭建直到tapout的全流程，本人在跑这套后端flow的过程中也了解到很多十分实用的后端EDA器具和功耗/时序的分析/修复方式。
项目整体流程和部分文档
在partition阶段，进行初步的floorplan，划分电压域，并实现顶层的电源网络。如下图所示，整颗芯片包含两颗高性能cpu核，若干L2 $，一些常开模块和PMU模块等等。整颗芯片共划分了6个电压域。（顺便提一句，我觉得整个项目唯一美中不足的地方是顶层芯片没加PAD，景芯的另一个soc项目有加PAD的流程）
MAIA before partition
MAIA partition
maia_cpu阶段达成单颗高性能CPU的PR，这部分流程就比较常规了，首先导入之前partition好的maia_cpu部分的def，随后进行单颗maia_cpu的floorplan、摆放powerswitch和各种tapcell, endcap、电源网络设计、摆放标准单元、时钟树综合、二级电源连线、信号布线、各种check和verify、release等。但是！让我眼前一亮的有两点，一个是12nm的电源网络的via pillar处理方式，另一个是ICG单元的特殊处理和整个时钟网络的balance，还是学到不少新东西的。
A72 maia_cpu floorplan
via pillar
overview of ICGs
！！！景芯的一对一辅导真的很靠谱，有几个较难的DRC和LVS问题，工程师会一步步帮忙找bug并进行eco，整个过程极其专业并且工程师真的非常十分有耐心。最后如愿DRC和LVS clean。就是完成maia_cpu后，我先进行starRC、pt抽参，随后启用xtop优化setup和hold，并再次打开innovus启用xtop生成的脚本自动进行eco修复timing。确认时序没有违例后，使用Calibre进行DRC、LVS检查，不出所料有很多DRC违例，LVS不借助。但
DRC/LVS results
对maia_cpu进行一系列LEC检查和功耗、压降检查后，就许可进行最后一步MAIA顶层的布局布线了。依次读入各种lib和lef资料、maia_cpu的def和partition阶段产生的MAIA顶层的def，随后与maia_cpu相同，进行floorplan、电源网络、时钟树综合等等，不再赘述。
MAIA after CTS
马马虎虎跑了个脚本。就是整体来说我觉得这个项目是非常完善的，DRC、LVS、时序、功耗、压降等各种检查都有涉及；同时工程也非常有难度，不仅芯片规模大，制程先进(12nm)，还涉及很多UPF的相关内容。景芯课程视频和实践相结合的授课方式也非常有效，课程的课程视频会大量讲解一些原理性的内容，比如MCMM、UPF的一些基本概念和环境部署、时钟树的基本理论和该项目的时钟树结构的设计技巧、顶层模块的时序约束、POCV/SOCV时序报告解读等等，而上机实践的部分则应该自己动手跑脚本，发现bug并尝试解决，锻炼工程能力。此外，我觉得课程很贴心的一点是，上机实践的部分在关键步骤都准备了golden结果，如果当下bug不能立即解决可以先跳过，启用提供的golden先体验一下整个后端流程，回过头再来解决一些细节疑问。跑完整个任务真的感觉收获满满，在理论和实践上都有很大提升，但是感觉依然有很多内容没有完全掌握，整个flow中的很多细节都没注意到，很多工具也只
最后！我觉得该课程最值的一点就是有专门的工程师全程答疑，工程师回消息特别快，解决方案也很细致，除了克服一些具体的bug之外，有时候还会讲解一些原理性的内容，分享一些工程经验等等，真的能学到很多除脚本之外的东西！十分推荐！
（另外: 我觉得景芯SoC的12nm 高性能CPU UPF项目整体难度有点大，如果是新手的话建议先报景芯的soc后端实践课，再来尝试景芯SoC的12nm 高性能CPU的进阶课程）
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2.5GHz UPF hierarchy TOP实战问题分享
12nm 2.5GHz的高性能CPU实战训练营需要特别设置Latency，TOP结构如下，参加过景芯SoC全流程训练营的同学都知道CRG部分我们会手动例化ICG来控制时钟，具体实现参见40nm景芯SoC全流程训练项目，本文介绍下12nm 2.5GHz的A72实战训练营的Latency背景，欢迎加入实战。
时钟传播延迟Latency，通常也被称为插入延迟（insertion delay）。它许可分为两个部分，时钟源插入延迟（source latency）和时钟网络延迟（Network latency)。
大部分训练营同学表示平时都直接将Latency设置为0了，那latency值有什么用呢？其实这相当于一个target值，CTS的engine会根据你设置的latency值来插入buffer来实现你的latency target值。
下图分为1st Level ICG和2nd Level ICG，请问这些ICG为什么要分为两层？
请问，为什么不全部把Latency设置为0？2nd Level ICG的latency应该设置为多少呢？
latency大小直接影响clock skew的计算。时钟树是以平衡为目的，假设对一个root和sink设置了400ps的latency值，那么对另外的sink而言，就算没有给定latency值，CTS为了得到较小的skew，也会将另外的sink做成400ps的latency。请问，为何要做短时钟树？因为过大的latency值会受到OCV和PVT等因素的影响较大，并有time derate的存在。
分享个例子，比如，景芯SoC的12nm 高性能CPU低功耗设计，DBG domain的isolation为何用VDDS_maia_noncpu供电而不是TOP的VDD？
答：源于dbg的上一级是noncpu，noncpu下面分成dbg和两个tbnk。
再分享个例子，比如，景芯SoC的12nm 高性能CPU低功耗设计，这个switch cell是双开关吗？答：不是，之所以分trickle和hammer，是为了解决hash current大电流，先开trickle，然后再开hammer。
再分享个例子，比如，景芯SoC的12nm 高性能CPU课程的低功耗例子：请问，如果iso cell输出都要放parent，输入放self，那么下面-applies_to_outputs对应的-location为何是self?
答：这个需要了解CPU的内部设计架构，tbnk掉电 VDDS_maia_noncpu也必然掉电，pst如下，于是-applies_to_outputs对应的-location是可以的，那么注意下debug domain呢？
实际上，没有tbnk到debug domain的信号，因此脚本如下：
再分享个例子，比如，景芯SoC的12nm 高性能CPU课程的低功耗例子：为何non_cpu的SRAM的VDD VDDM都接的可关闭电源？SRAM的VDD VDDM分别是常开和retention电源吧？
通过答：本来是VDDM作为retention电源设计的，VDD关掉后 VDDM能够供电作为retention利用，但是此处没有去做memory的双电源，sram当成单电源使用，不然sram无法彻底断电。
再分享个例子，比如，景芯SoC的12nm 高性能CPU课程有学员的单核cpu LVS借助, 但是多核顶层LVS比对不过，我们来定位一下。
以FE_OFN4326_cfgend_cpu1_o为例，点击下图FE_OFN4326_cfgend_cpu1_o：
找到calibredrv错误坐标：（1949,139）
对应到innovus去看坐标：（1949,139）
看到maia_cpu的pin脚过于密集，造成顶层连接pin脚时候会无法绕线，从而导致innovus从maia_cpu上面走线，形成short。尽管maia_cpu带了blockage，但是invs没有足够的连接pin的routing resource，也就只能在maia_cpu上面去try了。
修改办法很方便，具体操作option参见知识星球。
保存db，重新LVS，比对通过。
PLUS：景芯AI SoC创业项目—lpddr专题 LVS pass
 - 指南)
