STM32F1的官方固件库操作FLASH的几个常用函数。这些函数和定义分布在源文件stm32f1xx_hal_flash.c/stm32f1xx_hal_flash_ex.c以及头文件stm32f1xx_hal_flash.h/stm32f1xx_hal_flash_ex.h中。
锁定解函数
对FLASH进行写操作前必须先解锁，解锁操作：在FLASH_KEYR写入特定的序列（KEY1和KEY2），HAL库实现很简单：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
写操作完成后，要锁定FLASH：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_lock(void);
写操作函数
HAL 库提供了一个通用的 FLASH 写操作函数HAL_FLASH_Program，该函数声明如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram,uint32_t Address,uint64_t Data);
该函数有三个入口参数。
- TypeProgram：区分要写入的数据类型，取值为FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE（字节：8 位）FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD（半字 ： 16 位 ） ，FLASH_TYPEPROGRAM_WORD （ 字 ： 32 位）和FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD（双字：64 位）。
- Address设置要写入数据的FLASH地址。
- Data，要写入的数据类型，参数默认是64位的，如果小于64位，会进行类型转换。
擦除函数
HAL 库提供的擦除函数在 stm32f1xx_hal_flash_ex.c 中定义。和编程函数一样，HAL 提供了一个通用的基于小区擦除的函数 HAL_FLASHEx_Erase，该函数声明如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *SectorError);typedef struct
{uint32_t TypeErase; //擦除类型uint32_t Banks; //擦除的 Bank 编号uint32_t PageAddress; //擦除页面地址uint32_t NbPages; //擦除的页面数
} FLASH_EraseInitTypeDef;
- TypeErase设置擦除类型，是Page擦除还是BANK级别的批量擦除，取值为FLASH_TYPEERASE_PAGES 或者 FLASH_TYPEERASE_MASSERASE，如果是一次擦除一个 Bank 下面的所有 Page，那么需要选择 FLASH_TYPEERASE_MASSERASE。
- Banks设置要擦除的Bank编号，只有设置为批量擦除的时候才有效。
- PageAddress要擦除页面的地址。
- NbPages要擦除的页面数。
等待操作完成函数
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；
即在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
在每次操作之前，都要等待上一次操作完成，才能开始。
HAL_StatusTypeDef FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
该函数在HAL库中很多地方用到，比如擦除函数HAL_FLASHEx_Erase中对FLASH进行擦除操作后会调用该函数，等待擦除操作完成。
读FLASH特定地址数据函数
函数固件库没有给出来，提供从指定地址读取半个字节：
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{return *(vu16 *)faddr;
}
)