MT8781安卓核心板采用先进的台积电6纳米级芯片生产工艺,配备高性能Arm Cortex-A76处理器和Arm Mali G57 GPU,加上LPDDR4X内存和UFS 2.2存储,在处理速度和数据访问速度上都有着出色的表现。

MT8781还支持120Hz显示器,无需额外的DSC硬件,通过同步技术动态调整刷新率,提供了极其流畅的网页和应用程序动画的滚动流畅。同时,108兆像素的大相机和Dimensity-class图像质量技术,使得该芯片在摄影效果上也有着卓越的表现。双摄像头和ZSL技术的支持,为用户提供了非常详细的散景拍摄。
在连接方面,MT8781集成了Cat-13 4G LTE调制解调器,支持全球频段和IMS服务,提供可靠的连接以及实现最佳的能效。另外,Essential dual 4G SIM卡通过两种连接提供无缝的快速数据服务体验,而VoLTE和ViLTE服务提供卓越的通话和实时视频体验。
MT8781安卓核心板参数:
 集成的突出功能
-  2个Arm®cortex - a76内核,工作频率为2.2 GHz 
-  6个Arm®cortex - a55内核,工作在2.0 GHz 
-  高达12gb的LPDDR4X-4266 SDRAM(2通道,每个16位数据总线) 
-  LTE Cat-13 
-  嵌入式连接系统,包括WLAN/BT/FM/GPS 
-  分辨率高达2K (2,000 x 1,200) 
-  OpenGL ES 3.2 3D图形加速器 
-  ISP支持32 MP@30 fps 
-  H.265 2560 x 1,440@30 fps解码器 
-  H.265 2560 x 1,440@30 fps编码器 
-  语音编解码器(FR, HR, EFR, AMR FR, AMR HR, wide-band AMR, and EVS_WB) 
平台特点
-  AP MCU 子系统 
− 2 个 Arm® 2.2 GHz Cortex-A76 内核,每个内核具有 64 KB L1 I 缓存、64 KB L1 D 缓存和 256 KB L2 缓存
 − 6 个 Arm® 2 GHz Cortex-A55 内核,每个内核具有 32 KB L1 I 缓存、32 KB L1 D 缓存和 128 KB L2 缓存
 − 共享 1 MB 三级缓存
 − NEON 技术,用于加速多媒体处理的高级 SIMDv2
 − 矢量浮点协处理器扩展,VFPv4
 − DVFS技术,自适应工作电压为0.55V至0.9V
-  MD MCU 子系统 
− 高性能多核多线程处理器架构
 − 高性能AXI总线接口
 − 用于外设数据传输的通用 DMA 引擎和专用 DMA 通道
 − 用于时钟门控控制的电源管理
-  MD 外部接口 
− 双 SIM/USIM 接口
 − 与射频和无线电相关外设(天线调谐器、PA 等)的接口引脚
-  安全 
− Arm® TrustZone® 安全
 − 用于全盘加密 (FDE) 和基于文件的加密 (FBE) 的内联引擎
 − 联发科技 CryptoCore
-  外部存储器接口 
− 高达 12 GB 的 LPDDR4X-4266 SDRAM
 − 2 个通道,每个通道有一个 16 位数据总线
 − 支持双列设备
 − 支持自刷新/部分阵列自刷新(PASR)命令
 − 高级命令仲裁
 − 精心设计的功耗降低技术
-  外围设备 
− USB2.0 OTG模式
 − eMMC5.1
 - UFS 2.2
 − 3个UART用于调试和应用
 − 6个SPI主机用于外部设备
 − 3 I2C/7 I3C 用于控制外围设备,例如 CMOS 图像传感器、LCM 或 FM 接收器模块
 − 最大。 3 个 PWM 通道(取决于系统配置和 I/O 使用情况)
 − I2S,用于连接可选的外部高端音频编解码器
 − GPIO
 − 2组存储卡接口,支持SD/SDHC/MMC和SDIO2.0/3.0协议
-  运行条件 
− 核心电压:0.55V/0.6V/0.65V/0.725V
 − 输入/输出电压:1.8V/2.8V/3.3V
 − 内存:0.75V
 − 液晶模组接口:1.8V
 − 时钟源:26 MHz、32.768 kHz
-  封装 
− 类型:FCCSP
 − 11.35 毫米 x 11 毫米
 − 高度:最大。 0.9毫米
 − 球数:806 球
 − 球间距:0.35 毫米
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