电磁场公式

矢量分析

梯度和方向倒数

  • 标量场 φ \varphi φ 的梯度为

g r a d φ = ∇ φ = e x ⃗ ∂ φ ∂ x + e y ⃗ ∂ φ ∂ y + e z ⃗ ∂ φ ∂ z grad\varphi=\nabla \varphi=\vec{e_x}\frac{\partial \varphi}{\partial x}+\vec{e_y}\frac{\partial \varphi}{\partial y}+\vec{e_z}\frac{\partial \varphi}{\partial z} gradφ=φ=ex xφ+ey yφ+ez zφ

  • 标量场在 l ⃗ \vec{l} l 方向上(单位矢量为 l ∘ ⃗ \vec{l^\circ} l )的方向导数为

∂ φ ∂ l = ∇ φ ⋅ l ∘ ⃗ \frac{\partial \varphi}{\partial l}=\nabla \varphi \cdot \vec{l^\circ} lφ=φl

散度

d i v A ⃗ = ∇ ⋅ A ⃗ div\vec{A}=\nabla \cdot \vec{A} divA =A

  • 散度定理

∫ V ∇ ⋅ A ⃗ d V = ∮ S A ⃗ ⋅ d S ⃗ \int_V\nabla\cdot\vec{A}~dV=\oint_S\vec{A}\cdot d\vec{S} VA  dV=SA dS

旋度

r o t A ⃗ = ∇ × A ⃗ rot\vec{A}=\nabla\times\vec{A} rotA =×A

  • 斯托克斯定理

∫ S ( ∇ × A ⃗ ) ⋅ d S ⃗ = ∮ l A ⃗ ⋅ d l ⃗ \int_S(\nabla\times\vec{A})\cdot d\vec{S}=\oint_l\vec{A}\cdot d\vec{l} S(×A )dS =lA dl

哈密尔顿微分算符

  • 直角坐标系

∇ = e x ⃗ ∂ ∂ x + e y ⃗ ∂ ∂ y + e z ⃗ ∂ ∂ z \nabla=\vec{e_x}\frac{\partial}{\partial x}+\vec{e_y}\frac{\partial}{\partial y}+\vec{e_z}\frac{\partial}{\partial z} =ex x+ey y+ez z

  • 圆柱坐标系

∇ = e r ⃗ ∂ ∂ r + e ϕ ⃗ 1 r ∂ ∂ ϕ + e z ⃗ ∂ ∂ z \nabla=\vec{e_r}\frac{\partial}{\partial r}+\vec{e_\phi}\frac{1}{r}\frac{\partial}{\partial \phi}+\vec{e_z}\frac{\partial}{\partial z} =er r+eϕ r1ϕ+ez z

  • 球面坐标系

∇ = e r ⃗ ∂ ∂ r + e θ ⃗ 1 r ∂ ∂ θ + e ϕ ⃗ 1 r sin ⁡ θ ∂ ∂ ϕ \nabla=\vec{e_r}\frac{\partial}{\partial r}+\vec{e_\theta}\frac{1}{r}\frac{\partial}{\partial \theta}+\vec{e_\phi}\frac{1}{r\sin\theta}\frac{\partial}{\partial \phi} =er r+eθ r1θ+eϕ rsinθ1ϕ

拉普拉斯微分算子

  • 直角坐标系

∇ 2 φ = ∂ 2 φ ∂ x 2 + ∂ 2 φ ∂ y 2 + ∂ 2 φ ∂ z 2 \nabla^2\varphi=\frac{\partial^2\varphi}{\partial x^2}+\frac{\partial^2\varphi}{\partial y^2}+\frac{\partial^2\varphi}{\partial z^2} 2φ=x22φ+y22φ+z22φ

  • 圆柱坐标系

∇ 2 φ = 1 r ∂ ∂ r ( r ∂ φ ∂ r ) + 1 r 2 ∂ 2 φ ∂ φ 2 + ∂ 2 φ ∂ z 2 \nabla^2\varphi=\frac{1}{r}\frac{\partial}{\partial r}(r\frac{\partial\varphi}{\partial r})+\frac{1}{r^2}\frac{\partial^2\varphi}{\partial \varphi^2}+\frac{\partial^2\varphi}{\partial z^2} 2φ=r1r(rrφ)+r21φ22φ+z22φ

  • 球面坐标系

∇ 2 φ = 1 r 2 ∂ ∂ r ( r 2 ∂ φ ∂ r ) + 1 r 2 sin ⁡ θ ∂ ∂ θ ( sin ⁡ θ ∂ φ ∂ θ ) + 1 r 2 sin ⁡ 2 θ ∂ 2 φ ∂ ϕ 2 \nabla^2\varphi=\frac{1}{r^2}\frac{\partial}{\partial r}(r^2\frac{\partial\varphi}{\partial r})+\frac{1}{r^2\sin\theta}\frac{\partial}{\partial \theta}(\sin\theta\frac{\partial\varphi}{\partial \theta})+\frac{1}{r^2\sin^2\theta}\frac{\partial^2\varphi}{\partial \phi^2} 2φ=r21r(r2rφ)+r2sinθ1θ(sinθθφ)+r2sin2θ1ϕ22φ


静电场

库仑定律

点电荷 q ′ q' q 位于 r ′ ⃗ \vec{r'} r ;点电荷 q q q 位于 r ⃗ \vec{r} r ;点电荷 q ′ q' q 到点电荷 q q q R ⃗ = r ⃗ − r ′ ⃗ \vec{R}=\vec{r}-\vec{r'} R =r r q ′ q' q q q q 的库仑力为

F ⃗ = q ′ q 4 π ε 0 R ⃗ R 3 \vec{F}=\frac{q'q}{4\pi \varepsilon_0}\frac{\vec{R}}{R^3} F =4πε0qqR3R

电场强度

位于 r ′ ⃗ \vec{r'} r 的点电荷 q ′ q' q r ⃗ \vec{r} r 处产生的电场强度为

E ⃗ = q ′ 4 π ε 0 R ⃗ R 3 \vec{E}=\frac{q'}{4\pi \varepsilon_0}\frac{\vec{R}}{R^3} E =4πε0qR3R

高斯定理

  • 闭合曲面 S S S 包含的总电荷为 Q Q Q,则该闭合曲面的通量为

∮ S E ⃗ ⋅ d S ⃗ = Q ε 0 \oint_S\vec{E} \cdot d\vec{S}=\frac{Q}{\varepsilon_0} SE dS =ε0Q

  • 微分形式(电场强度的散度

∇ ⋅ E ⃗ = ρ ε 0 ∮ S E ⃗ ⋅ d S ⃗ = q ε 0 \begin{split} \nabla \cdot \vec{E}&=\frac{\rho}{\varepsilon_0} \\ \oint_S\vec{E}\cdot d\vec{S}&=\frac{q}{\varepsilon_0} \end{split} E SE dS =ε0ρ=ε0q

  • 电场强度的旋度

∇ × E ⃗ = 0 ⃗ ∮ l E ⃗ ⋅ d l ⃗ = 0 \begin{split} \nabla\times\vec{E}&=\vec{0} \\ \oint_l\vec{E}\cdot d\vec{l}&=0 \end{split} ×E lE dl =0 =0

静电场的电位

  • 电场强度与电位的关系

E ⃗ = − ∇ φ \vec{E}=-\nabla\varphi E =φ

  • 位于 r ′ ⃗ \vec{r'} r 的点电荷 q ′ q' q r ⃗ \vec{r} r 处的电位为

φ ( r ⃗ ) = 1 4 π ε 0 q ′ ∣ r ⃗ − r ′ ⃗ ∣ \varphi(\vec{r})=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\frac{q'}{|\vec{r}-\vec{r'}|} φ(r )=4πε01r r q

  • 静电场中两点间的电位差为

φ ( P ) − φ ( P 0 ) = ∫ P P 0 E ⃗ ⋅ d l ⃗ \varphi(P)-\varphi(P_0)=\int_P^{P_0}\vec{E}\cdot d\vec{l} φ(P)φ(P0)=PP0E dl

  • 泊松方程

∇ 2 φ = − ρ ε 0 \nabla^2\varphi=-\frac{\rho}{\varepsilon_0} 2φ=ε0ρ

电偶极子

  • 两个等量异种电荷 − q -q q q q q,负电荷到正电荷的有向距离为 l ⃗ \vec{l} l ,则电偶极矩

p ⃗ = q l ⃗ \vec{p}=q\vec{l} p =ql

  • 取电偶极矩的中心在坐标原点,

φ = p ⃗ ⋅ r ⃗ 4 π ε 0 r 3 \varphi=\frac{\vec{p}\cdot\vec{r}}{4\pi\varepsilon_0r^3} φ=4πε0r3p r

E ⃗ = p 4 π ε 0 r 3 ( e r ⃗ 2 cos ⁡ θ + e θ ⃗ sin ⁡ θ ) \vec{E}=\frac{p}{4\pi\varepsilon_0r^3}(\vec{e_r}2\cos\theta+\vec{e_\theta}\sin\theta) E =4πε0r3p(er 2cosθ+eθ sinθ)

电介质(绝缘体)的极化强度

  • 体积 Δ V \Delta V ΔV 里电偶极矩之和为 ∑ p ⃗ \sum{\vec{p}} p ,则极化强度

P ⃗ = lim ⁡ Δ V → 0 ∑ p Δ V \vec{P}=\lim_{\Delta V \to 0}\frac{\sum{p}}{\Delta V} P =ΔV0limΔVp

  • 极化介质产生的极化电荷可以看作等效体电荷等效面电荷,分别为

ρ p ( r ⃗ ) = − ∇ ⋅ P ( r ⃗ ) ⃗ \rho_p(\vec{r})=-\nabla\cdot\vec{P(\vec{r})} ρp(r )=P(r )

ρ s p = P ⃗ ( r ⃗ ) ⋅ n ⃗ \rho_{sp}=\vec{P}(\vec{r})\cdot\vec{n} ρsp=P (r )n

电位移矢量

在电介质中,电场由自由电荷 ρ \rho ρ极化电荷(束缚电荷) ρ p \rho_p ρp 共同产生。

  • 极化介质中的电场强度为 E ⃗ \vec{E} E ,极化强度为 P ⃗ \vec{P} P ,则电位移矢量

D ⃗ = ε 0 E ⃗ + P ⃗ \vec{D}=\varepsilon_0\vec{E}+\vec{P} D =ε0E +P

  • 电介质中的场方程

∇ ⋅ D ⃗ = ρ ∮ S D ⃗ ⋅ d S ⃗ = q ∇ × E ⃗ = 0 ⃗ \begin{split} \nabla\cdot\vec{D}&=\rho \\ \oint_S\vec{D}\cdot d\vec{S}&=q \\ \nabla\times\vec{E}&=\vec{0} \end{split} D SD dS ×E =ρ=q=0

电介质的电位

对于均匀介质 ε \varepsilon ε 为常数),

∇ 2 φ = − ρ ε \nabla^2\varphi=-\frac{\rho}{\varepsilon} 2φ=ερ

介电常数

若介质是线性各向同性均匀介质),介质的相对介电常数为 ε r \varepsilon_r εr,介质的介电常数为 ε \varepsilon ε,极化率为 χ e \chi_e χe

  • 极化强度为

P ⃗ = ε 0 χ e E ⃗ \vec{P}=\varepsilon_0\chi_e\vec{E} P =ε0χeE

  • 电位移矢量为

D ⃗ = = ε 0 ( 1 + χ e ) E ⃗ = ε 0 ε r E ⃗ = ε E ⃗ \begin{split} \vec{D}= &=\varepsilon_0(1+\chi_e)\vec{E} \\ &=\varepsilon_0\varepsilon_r\vec{E} \\ &=\varepsilon\vec{E} \end{split} D ==ε0(1+χe)E =ε0εrE =εE

静电场的边界条件

  • 分界面两侧的介电常数分别为 ε 1 \varepsilon_1 ε1 ε 2 \varepsilon_2 ε2,分界面的法向量为 n ⃗ \vec{n} n ,分界面上的自由电荷密度为 ρ s \rho_s ρs,则边界条件为

n ⃗ ⋅ ( D ⃗ 2 − D ⃗ 1 ) = ρ s o r D 2 n − D 1 n = ρ s n ⃗ × ( E ⃗ 2 − E ⃗ 1 ) = 0 ⃗ o r E 2 t = E 1 t \begin{split} \vec{n}\cdot(\vec{D}_2-\vec{D}_1)=\rho_s~~~&or~~~D_{2n}-D_{1n}=\rho_s\\ \vec{n}\times(\vec{E}_2-\vec{E}_1)=\vec{0}~~~&or~~~E_{2t}=E_{1t} \end{split} n (D 2D 1)=ρs   n ×(E 2E 1)=0    or   D2nD1n=ρsor   E2t=E1t

  • 电介质边界的电位

φ 1 = φ 2 ρ s = − ε 2 ∂ φ 2 ∂ n + ε 1 ∂ φ 1 ∂ n \begin{split} &\varphi_1=\varphi_2\\ &\rho_s=-\varepsilon_2\frac{\partial\varphi_2}{\partial n}+\varepsilon_1\frac{\partial\varphi_1}{\partial n} \end{split} φ1=φ2ρs=ε2nφ2+ε1nφ1

  • 介质 ε 1 \varepsilon_1 ε1 和介质 ε 2 \varepsilon_2 ε2 中电力线与法线的夹角分别为 θ 1 \theta_1 θ1 θ 2 \theta_2 θ2,关系为

tan ⁡ θ 1 tan ⁡ θ 2 = ε 1 ε 2 \frac{\tan\theta_1}{\tan\theta_2}=\frac{\varepsilon_1}{\varepsilon_2} tanθ2tanθ1=ε2ε1

  • 对于导体,内部电荷为零,仅考虑外部场 E ⃗ \vec{E} E D ⃗ \vec{D} D 外法线 n ⃗ \vec{n} n ,边界条件为

D n = ρ s E t = 0 \begin{split} D_n&=\rho_s \\ E_t&=0 \end{split} DnEt=ρs=0

静电场的能量密度和电场能量

  • 能量密度

ω e = 1 2 E ⃗ ⋅ D ⃗ \omega_e=\frac{1}{2}\vec{E}\cdot\vec{D} ωe=21E D

  • 电场能量

W e = 1 2 ∫ V E ⃗ ⋅ D ⃗ d V W_e=\frac{1}{2}\int_V\vec{E}\cdot\vec{D}~dV We=21VE D  dV


恒定电流的电场和磁场

电流密度

正电荷运动的方向为 n ⃗ \vec{n} n ,取与 n ⃗ \vec{n} n 垂直的面积元 Δ S \Delta S ΔS,通过面积元的电流为 Δ I \Delta I ΔI,则电流密度

J ⃗ = lim ⁡ Δ S → 0 Δ I Δ S n ⃗ \vec{J}=\lim_{\Delta S \to 0}\frac{\Delta I}{\Delta S}\vec{n} J =ΔS0limΔSΔIn

  • 通过任意面积 S S S 的电流强度为

I = ∫ S J ⃗ ⋅ d S ⃗ I=\int_S\vec{J}\cdot d\vec{S} I=SJ dS

欧姆定律的微分形式(传导电流)

线性各向同性的导体的电导率为 σ \sigma σ,则电流密度为

J ⃗ = σ E ⃗ \vec{J}=\sigma\vec{E} J =σE

焦耳定律的微分形式(传导电流)

导体内的热功率密度

p = J ⃗ ⋅ E ⃗ p=\vec{J}\cdot\vec{E} p=J E

恒定电流场的基本方程

∇ ⋅ J ⃗ = 0 ∮ S J ⃗ ⋅ d S ⃗ = 0 ∇ × E ⃗ = 0 ⃗ ∮ l E ⃗ ⋅ d l ⃗ = 0 \begin{split} \nabla\cdot\vec{J}&=0\\ \oint_S\vec{J}\cdot d\vec{S}&=0\\ \nabla\times\vec{E}&=\vec{0}\\ \oint_l\vec{E}\cdot d\vec{l}&=0 \end{split} J SJ dS ×E lE dl =0=0=0 =0

  • 均匀导体电导率为常数)内部电荷动态为零,则

∇ ⋅ E ⃗ = 0 ∇ 2 φ = 0 \begin{split} \nabla\cdot\vec{E}&=0\\ \nabla^2\varphi&=0 \end{split} E 2φ=0=0

恒定电流场的边界条件

  • 分界面两侧的电导率分别为 σ 1 \sigma_1 σ1 σ 2 \sigma_2 σ2,分界面的法向量为 n ⃗ \vec{n} n ,分界面上的自由电荷密度为 ρ s \rho_s ρs,则边界条件为

n ⃗ ⋅ ( J ⃗ 2 − J ⃗ 1 ) = 0 o r J 1 n = J 2 n n ⃗ × ( E ⃗ 2 − E ⃗ 1 ) = 0 ⃗ o r E 1 t = E 2 t \begin{split} \vec{n}\cdot(\vec{J}_2-\vec{J}_1)&=0~~~or~~~ J_{1n}=J_{2n}\\ \vec{n}\times(\vec{E}_2-\vec{E}_1)&=\vec{0}~~~or~~~E_{1t}=E_{2t}\\ \end{split} n (J 2J 1)n ×(E 2E 1)=0   or   J1n=J2n=0    or   E1t=E2t

  • 导体边界的电位

φ 1 = φ 2 σ 1 ∂ φ 1 ∂ n = σ 2 ∂ φ 2 ∂ n \begin{split} \varphi_1&=\varphi_2\\ \sigma_1\frac{\partial\varphi_1}{\partial n}&=\sigma_2\frac{\partial\varphi_2}{\partial n} \end{split} φ1σ1nφ1=φ2=σ2nφ2

  • 介质 σ 1 \sigma_1 σ1 和介质 σ 2 \sigma_2 σ2 中电流线与法线的夹角分别为 θ 1 \theta_1 θ1 θ 2 \theta_2 θ2,关系为

tan ⁡ θ 1 tan ⁡ θ 2 = σ 1 σ 2 \frac{\tan\theta_1}{\tan\theta_2}=\frac{\sigma_1}{\sigma_2} tanθ2tanθ1=σ2σ1

  • 导体内部的电荷为零,电荷只能分布在表面上( J 1 n = J 2 n = J n J_{1n}=J_{2n}=J_n J1n=J2n=Jn):

ρ s = D 2 n − D 1 n = ε 2 σ 2 J 2 n − ε 1 σ 1 J 1 n = J n ( ε 2 σ 2 − ε 1 σ 1 ) \rho_s=D_{2n}-D_{1n}=\frac{\varepsilon_2}{\sigma_2}J_{2n}-\frac{\varepsilon_1}{\sigma_1}J_{1n}=J_n(\frac{\varepsilon_2}{\sigma_2}-\frac{\varepsilon_1}{\sigma_1}) ρs=D2nD1n=σ2ε2J2nσ1ε1J1n=Jn(σ2ε2σ1ε1)

磁感应强度

B ⃗ = μ 0 4 π ∮ C I d l ⃗ × R ⃗ R 3 \vec{B}=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_C\frac{Id\vec{l}\times\vec{R}}{R^3} B =4πμ0CR3Idl ×R

  • 磁感应强度与矢量磁位的关系

B ⃗ = ∇ × A ⃗ \vec{B}=\nabla\times\vec{A} B =×A

恒定磁场的基本方程

{ ∇ ⋅ B ⃗ = 0 ∮ S B ⃗ ⋅ d S ⃗ = 0 \begin{cases} \nabla\cdot\vec{B}=0 \\ \oint_S\vec{B}\cdot d\vec{S}=0 \end{cases} {B =0SB dS =0

{ ∇ × B ⃗ = μ 0 J ⃗ ∮ C B ⃗ ⋅ d l ⃗ = μ 0 I \begin{cases} \nabla\times\vec{B}=\mu_0\vec{J} \\ \oint_C\vec{B}\cdot d\vec{l}=\mu_0I \end{cases} {×B =μ0J CB dl =μ0I

磁偶极子

一个载流回路的面积为 S ⃗ \vec{S} S ,电流为 I I I,则磁偶极矩为

m ⃗ = I S ⃗ \vec{m}=I\vec{S} m =IS

  • 矢量磁位为

A ⃗ = μ 0 4 π m ⃗ × r ⃗ r 3 \vec{A}=\frac{\mu_0}{4\pi}\frac{\vec{m}\times\vec{r}}{r^3} A =4πμ0r3m ×r

  • 球面坐标系下的磁感应强度

B ⃗ = μ 0 m 4 π r 3 ( e ⃗ r 2 cos ⁡ θ + e ⃗ θ sin ⁡ θ ) \vec{B}=\frac{\mu_0m}{4\pi r^3}(\vec{e}_r2\cos\theta+\vec{e}_\theta\sin\theta) B =4πr3μ0m(e r2cosθ+e θsinθ)

磁介质的磁化强度

  • 体积为 Δ V \Delta V ΔV 的磁介质中,总的磁偶极矩为 ∑ m ⃗ \sum\vec{m} m ,则磁化强度

M ⃗ = lim ⁡ Δ V → 0 ∑ m ⃗ Δ V \vec{M}=\lim_{\Delta V \to 0}\frac{\sum\vec{m}}{\Delta V} M =ΔV0limΔVm

  • 介质磁化产生的磁化电流由体电流面电流组成,为

J ⃗ m = ∇ × M ⃗ J ⃗ m S = M ⃗ ⋅ n ⃗ \begin{split} &\vec{J}_m=\nabla\times\vec{M} \\ &\vec{J}_{mS}=\vec{M}\cdot\vec{n} \end{split} J m=×M J mS=M n

磁场强度

H ⃗ = B ⃗ μ 0 − M ⃗ \vec{H}=\frac{\vec{B}}{\mu_0}-\vec{M} H =μ0B M

磁导率

若介质是线性各向同性均匀介质),介质的相对磁导率为 μ r \mu_r μr,介质的磁导率为 μ \mu μ,极化率为 χ m \chi_m χm

  • 磁化强度为

M ⃗ = χ m H ⃗ \vec{M}=\chi_m\vec{H} M =χmH

  • 磁感应强度为

B ⃗ = μ 0 ( H ⃗ + M ⃗ ) = μ 0 ( 1 + χ m ) H ⃗ = μ 0 μ r H ⃗ = μ H ⃗ \begin{split} \vec{B}&=\mu_0(\vec{H}+\vec{M})\\ &=\mu_0(1+\chi_m)\vec{H}\\ &=\mu_0\mu_r\vec{H}\\ &=\mu\vec{H} \end{split} B =μ0(H +M )=μ0(1+χm)H =μ0μrH =μH

磁介质中恒定磁场的基本方程

{ ∇ ⋅ B ⃗ = 0 ∮ S B ⃗ ⋅ d S ⃗ = 0 \begin{cases} \nabla\cdot\vec{B}=0\\ \oint_S\vec{B}\cdot d\vec{S}=0 \end{cases} {B =0SB dS =0

{ ∇ × H ⃗ = J ⃗ ∮ C H ⃗ ⋅ d l ⃗ = ∫ S J ⃗ ⋅ d S ⃗ \begin{cases} \nabla\times\vec{H}=\vec{J}\\ \oint_C\vec{H}\cdot d\vec{l}=\int_S\vec{J}\cdot d\vec{S} \end{cases} {×H =J CH dl =SJ dS

恒定磁场的边界条件

  • 分界面两侧的磁导率分别为 μ 1 \mu_1 μ1 μ 2 \mu_2 μ2,分界面的法向量为 n ⃗ \vec{n} n ,分界面上的电流密度为 J ⃗ S \vec{J}_S J S,则边界条件为

n ⃗ ⋅ ( B ⃗ 2 − B ⃗ 1 ) = 0 o r B 2 n = B 1 n n ⃗ × ( H ⃗ 2 − H ⃗ 1 ) = J ⃗ S o r H 2 t − H 1 t = J S \begin{split} \vec{n}\cdot(\vec{B}_2-\vec{B}_1)=0~~~&or~~~B_{2n}=B_{1n}\\ \vec{n}\times(\vec{H}_2-\vec{H}_1)=\vec{J}_S~~~&or~~~H_{2t}-H_{1t}=J_S \end{split} n (B 2B 1)=0   n ×(H 2H 1)=J S   or   B2n=B1nor   H2tH1t=JS

  • 介质 μ 1 \mu_1 μ1 和介质 μ 2 \mu_2 μ2 中磁力线与法线的夹角分别为 θ 1 \theta_1 θ1 θ 2 \theta_2 θ2,关系为

tan ⁡ θ 1 tan ⁡ θ 2 = μ 1 μ 2 \frac{\tan\theta_1}{\tan\theta_2}=\frac{\mu_1}{\mu_2} tanθ2tanθ1=μ2μ1

磁场能量密度和磁场能量

  • 磁场能量密度

ω m = 1 2 B ⃗ ⋅ H ⃗ \omega_m=\frac{1}{2}\vec{B}\cdot\vec{H} ωm=21B H

  • 磁场能量

W m = 1 2 ∫ V B ⃗ ⋅ H ⃗ d V W_m=\frac{1}{2}\int_V\vec{B}\cdot\vec{H} dV Wm=21VB H dV


本文来自互联网用户投稿,该文观点仅代表作者本人,不代表本站立场。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如若转载,请注明出处:http://www.mzph.cn/news/822379.shtml

如若内容造成侵权/违法违规/事实不符,请联系多彩编程网进行投诉反馈email:809451989@qq.com,一经查实,立即删除!

相关文章

LeetCode 1.两数之和(HashMap.containsKey()、.get、.put操作)

给定一个整数数组 nums 和一个整数目标值 target,请你在该数组中找出 和为目标值 target 的那 两个 整数,并返回它们的数组下标。 你可以假设每种输入只会对应一个答案。但是,数组中同一个元素在答案里不能重复出现。 你可以按任意顺序返回…

深入掌握k8s核心概念--Pod(二)

详解Pod的配置管理与调度特性等剖析 Kubernetes 中 Pod 的配置管理(ConfigMap)、调度策略、回滚与扩缩容详解一、Pod 配置管理:ConfigMap创建 ConfigMap 示例使用 ConfigMap 的 Pod 示例 二、玩转 Pod 调度:Kubernetes 高级调度策…

1 GBDT:梯度提升决策树

1 前言 前面简单梳理的基本的决策树算法,那么如何更好的使用这个基础算法模型去优化我们的结果是本节要探索的主要内容。 梯度提升决策树(Gradient Boosting Decision Trees)是一种集成学习方法,通常用于解决回归和分类问题。它通…

DC/DC电源模块直流升压变换器电压控制输出5V12V24V转0-50V80V110V150V180V200V250V300V500V800V1000V

特点 效率高达 75%以上1*2英寸标准封装单电压输出可直接焊在PCB 上工作温度: -40℃~75℃阻燃封装,满足UL94-V0 要求温度特性好电压控制输出,输出电压随控制电压线性变化 应用 GRB 系列模块电源是一种DC-DC升压变换器。该模块电源的输入电压分为:4.5~9V、…

【ElasticSearch】安装

1.官网寻找合适版本下载 这里我选择的是8.11.1 2.解压并启动 然后在浏览器输入http://localhost:9200/,判断是否启动成功 如下所示,则表示启动成功 安装过程中遇到过几个bug,记录在这篇文章中 【ElasticSearch】安装(bug篇&am…

六、OpenFeign服务接口调用

一、提问 已经有loadbalancer为什么还要学习OpenFeign? 两个都有道理的话,日常用那个? 二、是什么 OpenFeign是什么 官网翻译 Feign是一个声明性web服务客户端。它使编写web服务客户端变得更容易。使用Feign创建一个接口并对其进行注释。它具有可…

一键生成绘画作品,国内提供的7款AI绘画软件推荐

随着人工智能的迅猛发展,给我们的工作和兴趣带来了极大的便利。尤其是在绘画领域,随着越来越多的AI绘画工具的问世,我们能够以惊人的速度创作出精美的插图和照片。因此,本文将为大家介绍7款备受推崇的AI绘画软件~ 1.爱制作AI 爱制…

连连看游戏页面网站源码,直接使用

可以上传自己喜欢的图片 游戏页面 通关页面 源码免费下载地址抄笔记 (chaobiji.cn)

Java面试题:2024面试全攻略+BTA内部密卷 视频教程+springboot

基础篇 1、 Java语言有哪些特点 1、简单易学、有丰富的类库 2、面向对象(Java最重要的特性,让程序耦合度更低,内聚性更高) 阿里内部资料 基本类型 大小(字节) 默认值 封装类 6、Java自动装箱与拆箱 装箱就是…

ChatGPT 可以预测未来吗?

推荐 4月13日的一篇有趣的 paper,特来分享。 👉 当前的大型语言模型(LLMs)具有强大的数据合成和推理能力,但它们在直接预测尚未发生事件的准确性上常常受到限制。传统的预测方法依赖于直接询问模型关于未来的问题。 …

算法思想总结:链表

一、链表的常见技巧总结 二、两数相加 . - 力扣(LeetCode) class Solution { public:ListNode* addTwoNumbers(ListNode* l1, ListNode* l2) {//利用t来存进位信息int t0;ListNode*newheadnew ListNode(0);//创建一个哨兵节点,方便尾插List…

现在新开两融账户融资利率最低可以多少?5%~4.5%

两融是融资和融券的简称,是一种信用交易的方式,可以让投资者在股票市场上放大收益,也放大风险。融资是指投资者向证券公司借入资金,用于买入股票或其他证券,期待价格上涨后卖出,赚取差价,并在约…

记录Python链接mysql数据的增删改查方法

一、添加方法 db pymysql.connect(hostlocalhost,userroot,password123456,dbpython) cursor db.cursor() sql """insert into EMPLOYEEVALUES(3,张,天爱,35,F,8000) """ try:cursor.execute(sql)db.commit() #提交后,数据才会变 …

顺序表(快速上手数据结构)

在介绍ArrayList之前, 我们需要先了解List. List是一个接口,它继承于Collection接口(Collection又继承于最顶层的接口Iterable). 从数据结构的角度来看,List就是一个线性表(Linear List),即n个具有相同类型元素的有限序列, 在该序列上可以执行增删查改等操作. 注意: List是一…

自动化测试之httprunner框架hook函数实操

本篇介绍httprunner中hook函数的使用,以及通过编程能力实现建设自动化测试更全面的场景覆盖 前置: 互联网时代让我们更快的学习到什么是Httprunner 正文: 经过上文了解到这个框架怎么使用之后,我们开始来探讨一下我们为什么要用…

【教程】一个比较良心的C++代码混淆器

这是一个比较良心的C代码混淆器,用于信息竞赛训练和保护代码免受抄袭。本文将介绍这个混淆器的使用方法、混淆效果和已知的一些bug。同时,我们也会给出一些示例来演示混淆器的具体操作。 引言 在信息竞赛训练和实际开发中,保护代码的安全性和…

汇编程序设计

文章目录 第一章8086的存储器组织寻址方式立即数寻址方式寄存器寻址方式存储器寻址方式直接寻址方式寄存器间接寻址寄存器相对寻址方式寄存器基址变址寻址相对基址变址寻址相对方式的补充 数据寻址方式的组合 第一章 8086的存储器组织 存储单元的地址 “段基地址:段…

Adobe AE(After Effects)2021下载地址及安装教程

Adobe After Effects是一款专业级别的视觉效果和动态图形处理软件,由Adobe Systems开发。它被广泛用于电影、电视节目、广告和其他多媒体项目的制作。 After Effects提供了强大的合成和特效功能,可以让用户创建出令人惊艳的动态图形和视觉效果。用户可以…

【C语言】每日一题,快速提升(2)!

🔥博客主页🔥:【 坊钰_CSDN博客 】 欢迎各位点赞👍评论✍收藏⭐ 题目:杨氏矩阵 有一个数字矩阵,矩阵的每行从左到右是递增的,矩阵从上到下是递增的,请编写程序在这样的矩阵中查找某个…

error: failed to push some refs to ‘https://gitee.com/zhao-zhimin12/gk.git‘

git push origin master发现以下报错: 解决办法: 一、强制推送 git push origin master -f (加上 -f 就是强制) 二、 先拉取最新代码,再推送 1.git pull origin master 2.git push origin master