模拟电路概念知识体系梳理（基础部分）
掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中 掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中 在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。 掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强 当PN结反偏时，其电流很小，几乎可以忽略不记，但当反向电流超过一定限度时，其反向电流将急剧增大 导通压降的分析 当导通压降不可忽略或二极管工作在大电流时，利用此方法分析是可行的 u ≥ Uon u < Uon IC = ICN+ICBO ICN 与 IBN 之比称为共发射极电流放大倍数 iceo集电极发射极反向电流 Icbo是集电极反向饱和电流 饱和区 曲线陡直上升和起始弯曲的部分 发射结正向偏置 集电结也正向偏置 饱和管压降Uces 放大区 发射结正向偏置；集电结反向偏置 IC = βIB 对应于一个iB就有一条iC随uCE变化的曲线。曲线间距近似相等 截止区 ICEO越小，三极管性能越好 发射结反向偏置 集电结也反向偏置 当温度升高时，三极管的输入特性左移；当温度降低时，三极管的输入特性右移。发射结电压UBE具有负温度系数 当温度升高时，输出特性将整体上移，且间距增大，说明ICEO、β增大。反之，当温度降低时，输出特性将整体下移，且间距减小 IB<IBS ，三极管工作在放大区域 IB>IBS ，三极管工作在饱和区域 IB=IBS，三极管处于临界饱和 理想模型 若 UD ＞0二极管导通 若 UD ≤ 0二极管截止 恒压降模型 若 UD ≥ Uon二极管导通 若 UD < Uon二极管截止 限幅电路 开关电路 整流电路 稳压二极管 滤波电路 峰值是有效值的1.41倍 电容与负载并联 电感与负载串联 直流稳压电源 集电结面积很大 基区很薄，掺杂浓度很低 发射区的掺杂浓度度很高 放大状态下，电位居中的是基极 与基极差值约为0.7V(硅管) 或0.3V(锗管)的为发射极 剩下的电极为集电极 若集电极的电位最高，说明为NPN管，反之为PNP管 非门的逻辑功能是实现高、低电平的相互转换 若输入为低电平，输出则为高电平 根据导电沟道中载流子的极性不同 根据导电沟道是否事先存在 开启电压VGS（th） （或VT） 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通 夹断电压VGS（off） （或VP） 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS（off） 时，漏极电流为零 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS（毫西门子） 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM=VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当 MOS 管导通 比较Uds与Ugs-开启电压 大于，工作在恒流区 等于，临界 小于，工作在可变电阻区 若当输入均为高电平（1），则输出为低电平（0）；若输入中至少有一个为低电平（0），则输出为高电平（1）。与非门可以看作是与门和非门的叠加 当任一输入端(或多端)为高电平（逻辑“1”）时，输出就是低电平（逻辑“0”）；只有当所有输入端都是低电平（逻辑“0”）时，输出才是高电平（逻辑“1”） 当输入端为高电平（逻辑“1”）时，输出端为低电平（逻辑“0”）；反之，当输入端为低电平（逻辑“0”）时，输出端则为高电平（逻辑“1”） 直流通路 交流通路 电容看作是短路，直流电源正负极短接（即VCC与GND相连） 三极管提供基极直流电流，这一电流又称基极静态偏置电流 共射放大电路既能放大电流又能放大电压，输入与输出反相；输出电阻较大，频带较窄。常作为低频 最简单的方法是，总共源，漏和栅三端，输入接一个端，输出接一个端，剩下的那个端是什么就是共什么级放大器
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