随着人工智能（AI）相关半导体对高带宽存储（HBM）需求的推动，NAND闪存市场也感受到了这一趋势的影响。

据《Business Korea》援引行业消息来源称，NAND闪存市场的竞争正在加剧，而存储巨头三星和SK海力士正加紧努力，以提升NAND产品的性能和容量。今年4月，三星确认已开始大规模生产其第九代垂直NAND（V-NAND），这是一种三层单元（TLC）产品，单芯片容量达到1Tb，与第八代V-NAND相比，该产品的位密度提高了约50%，堆叠层数达到了290层。

扩展阅读：
1.三星即将量产V9 NAND，2025年达到430层
2.SSD与HDD仍然共存，并将长期共存！

根据《Business Korea》5月20日的报道，三星计划以其第九代V-NAND主宰AI固态硬盘（SSD）市场，目标在第二季度开发并试产超大容量的64TB SSD。

扩展阅读：深度剖析-大容量QLC SSD为何遭疯抢？

到了5月中旬，三星甚至透露了到2030年推出超过1000层的先进NAND闪存的目标。据Wccftech早前报道，这家韩国内存巨头计划在NAND制造中应用新型铁电材料。

扩展阅读：传三星将采用铁电材料实现1000层3D NAND

另一方面，目前NVIDIA H100解决方案所需的HBM3供应主要由SK海力士提供，这导致在满足快速增长的AI市场需求方面出现供应短缺。

扩展阅读：SK海力士宣布2026年量产HBM4E

继在HBM领域确立领导地位后，《Business Korea》报道称，SK海力士现在也瞄准了在NAND领域的AI存储市场占据主导地位。

值得注意的是，SK海力士最近在开发ZUFS 4.0方面取得了突破，这是一种针对具备AI功能的智能手机设计的内置AI移动NAND解决方案，预计将于第三季度开始大规模生产，此消息来源于TheElec。

扩展阅读：ZNS SSD之后，移动存储迎来Zone UFS