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SBD1DF20V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG2010AEH
型号:SBD1DF20V1H
品牌:ASEMI
封装:SOD-123FL
正向电流:1A
反向电压:20V
正向压降:0.44V~0.47V
引线数量:2
芯片个数:1
芯片尺寸:MIL
漏电流:10ua
恢复时间:35ns
浪涌电流:200A
芯片材质:
正向电压:1.10V
封装尺寸:如图
特性:小家电专用二极管
工作结温:-50℃~150℃
包装方式:500/管;5000/箱
ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件
高效节能:低正向压降降低电路损耗,提升整体能效。
可靠耐用:宽温工作范围适应严苛环境,延长设备寿命。
紧凑设计:SOD-523封装节省PCB空间,支持高密度布局。
广泛应用:从消费电子到工业自动化,满足多样化需求。
SBD1DF20V1H-ASEMI肖特基二极管的电性参数:正向电流1A;反向电压20V
SBD1DF20V1H肖特基二极管被广泛适用于:新能源汽车、车用、电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用。


