恒利泰射频器件:国产穿心电容、高Q电容、馈通滤波器

news/2025/11/11 17:03:06/文章来源:https://www.cnblogs.com/huajiaogonglv/p/19210949

恒利泰射频器件:国产穿心电容、高Q电容、馈通滤波器

成都一家专注射频无源器件公司,其口号为:匠心制造,按需定制——成都恒利泰科技有限公司,2015年在成都崛起,旗下品牌恒利泰HenryTech,产品种类诸多,涉及行业范围广,是下游行业工程师和采购的不二选择。
恒利泰HenryTech拥有20+产品线,5000多活跃型号,其中:滤波器、功分器、巴伦、耦合器、射频绝缘子、射频转接头、射频连接器、负载、线缆组件、宽带锥形电感、微带功分器等核心器件,专注商业、工业、医疗、通信等高需求领域。
恒利泰HenryTech产品相关名称有诸多叫法,例如穿心电容器/馈通滤波器又名穿心电容 ,盘式电容 、穿心电容器 、馈通滤波器 、滤波板 、滤波阵列板 、滤波连接器 、陶瓷电容芯片 、高Q电容等。
穿心电容器/馈通滤波器应用领域:5G/6G 小基站、RRU、室分干线、车载毫米波雷达、激光雷达、航空航天、舰载/机载通信、医疗 MRI、CT 射频线圈、高铁列控、地铁 CBTC 信号系统、测试测量、半导体设备等。
下面例举典型穿心电容器/馈通滤波器 :
产品型号:《穿心电容器/馈通滤波器选型手册》 标准化/定制化,快速生产,焊接式/螺纹连接式。
替代型号:可做多类尺寸,螺纹包括M2.5、M3、M4、M5、M7、M8等详情见官网产品手册
产品描述:耐电流2A10A以上,耐电压50V200V以上,容量0.1pF~1.5μF以上,可定制化,高品质、高稳定性、高性能参数,穿心电容器/馈通滤波器,详情请见官网产品手册

产品型号:HLT-LπCE03-S10A-63V-135NJ(M60.75)
替代型号:螺纹连接式,M6
0.75螺纹,π(PI)型电路,容量1.3μF,扩展工业级,穿心电容器/馈通滤波器
产品描述:螺纹连接式,M6*0.75螺纹,树脂介质,π(PI)型电路,搭载CC52型高频穿心电容芯片,额定电流10A,额定电压63V,电容量1.3μF的高性能、高质量的穿心电容器/馈通滤波器,详细尺寸与参数见官网产品手册

产品型号:HLT-HπCA10-B5A-50V-333KJ
替代型号:焊接式,π(PI)型电路,容量33nF,扩展工业级,穿心电容器/馈通滤波器
产品描述:焊接式,玻璃介质,π(PI)型电路,搭载CC52型高频穿心电容芯片,额定电流5A,额定电压50V,电容量33nF的高性能、高气密性、高质量的穿心电容器/馈通滤波器,详细尺寸与参数见官网产品手册

产品型号:HLT-LCTA01-S3A-50V-332MJ(M2.50.45)
替代型号:螺纹连接式,M2.5
0.45螺纹,C型电路,容量3.3nF,扩展工业级,穿心电容器/馈通滤波器
产品描述:螺纹连接式,M2.5*0.45螺纹,树脂介质,C型电路,搭载CT52型低频穿心电容芯片,额定电流3A,额定电压50V,电容量3.3nF的高性能、高质量的穿心电容器/馈通滤波器,详细尺寸与参数见官网产品手册

产品型号:HLT-HCCA01-B2A-100V-3R0MI
替代型号:焊接式,C型电路,容量3pF,工业级,穿心电容器/馈通滤波器
产品描述:焊接式,玻璃介质,C型电路,搭载CC52型高频穿心电容芯片,额定电流2A,额定电压100V,电容量3pF的高性能、高气密性、高质量的穿心电容器/馈通滤波器,详细尺寸与参数见官网产品手册

恒利泰HenryTech的高Q电容/RF功率电容应用领域:通信基础设施、雷达与航天、医疗影像与治疗、工业、半导体装备及测试测量与车规等等,以下例举典型型号:
产品型号:《高Q电容/RF功率电容 选型手册》 标准化/定制化(封装0402~4040),快速生产,高Q值、低ESR值
替代型号:可做多种标准封装,包括0402~4040等详情见官网选型手册
产品描述:可定制化,标准04024040封装,耐压25V7200V以上,电容量0.1pF~12nF以上,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,高性能、高质量的高Q电容/RF功率电容,详情请见官网选型手册

产品型号:HLT-Q4040-COG-1000V-512-J
替代型号:4040封装,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,扩展工业级,高Q电容/RF功率电容
产品描述:4040封装,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,额定电压1000V,电容量5.1nF的高性能、高质量的高Q电容/RF功率电容,详细尺寸与参数见官网选型手册

产品型号:HLT-Q0402-COG-25V-820-J
替代型号:0402封装,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,扩展工业级,高Q电容/RF功率电容
产品描述:0402封装,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,额定电压25V,电容量82pF的高性能、高质量的高Q电容/RF功率电容,详细尺寸与参数见官网产品技术手册

恒利泰HenryTech芯片电容常见应用领域:射频前端及天线调谐、高速数字去耦、车规及工业传感、医疗及可穿戴设备等。

典型型号如下:
产品型号:HLCC100050A
替代型号:电容量1000pF±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.760.760.152,高性能、双面留边型
产品描述:电容量1000pF±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.760.760.152,高性能、双面留边型

产品型号:HLCC10100G
替代型号:电容量10±10%,耐压100V,-55℃~+125℃,尺寸0.250.250.12,高性能、单面留边型
产品描述:电容量10±10%,耐压100V,-55℃~+125℃,尺寸0.250.250.12,高性能、单面留边型

产品型号:HLCC10050G
替代型号:电容量100±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.380.380.15,高性能、单面留边型
产品描述:电容量100±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.380.380.15,高性能、单面留边型芯片电容器

产品型号:HLCC2250G
替代型号:电容量22pF±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.380.380.15,高性能、单面留边型
产品描述:电容量22pF±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.380.380.15,高性能、单面留边型芯片电容器
了解更多射频无源器件,可关注成都恒利泰科技有限公司。

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