半导体分立器件电参数测试仪系统测试哪些参数
测试参数主要是静态参数，如下所示
能测很多电子元器件静态参数以及IV曲线扫描。如 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs，Diodes，MOSFETs，HEMT，BJTs，SCRs，光耦，继电器，稳压器......可以外接夹具、工装、探针台、分选机、编带机、机械手
高压源 1400V（选配 2KV），
高流源 40A（选配 100A,200A,300A）
栅极电压电流 20V（选配40V/100V）
分辨率最高至 1.5uV / 1.5pA 精度最高可至 0.1%
-
二极管 DIODE
-
晶体管 TRANSISTOR（NPN型/PNP型）
-
稳压（齐纳）二极管 ZENER
-
结型场效应管 J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
-
MOS场效应管 POWER MOSFET（N-沟/P-沟）
-
三端稳压器 REGULATOR（正电压/负电压，固定/可变）
-
光电耦合器 OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
-
可控硅整流器（普通晶闸管） SCR
-
双向可控硅 （双向晶闸管） TRIAC
-
绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT（NPN型/PNP型）
-
光电逻辑器件 OPTO-LOGIC
-
双向触发二极管 DIAC
-
固态过压保护器 SSOVP
-
光电开关管 OPTO-SWITCH
-
硅触发开关 STS
-
继电器 RELAY
-
金属氧化物压变电阻 MOV
-
压变电阻 VARISTOR
-
达林顿阵列 DARLINTON
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、 VRRM、VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS、
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
)
)
