概述：

REF-MHA50WIMI111T 是一款专为风扇驱动设计的参考开发板，搭载了英飞凌的IMI111T-026H iMOTION™智能功率模块(IPM)。这个模块集成了运动控制引擎(MCE)、三相栅极驱动器和基于IGBT的功率级，全部封装在一个紧凑的DSO22封装中。REF-MHA50WIMI111T 开发板具备完整的三相逆变器功能，能够快速制作变频电机控制系统的原型，适用于风扇、压缩机等多种应用。

将电机控制器、三相栅极驱动器和600 V/2 A IGBT都集成在DSO-22封装中的iMOTION™ IPM

IMI111T-026H器件无需散热片，适用于额定输出功率为50 W、最高直流阻断电压达600 V的电机驱动器。

 芯片IO定义：

引脚编号	名称	类型	描述
1	TX0	O	串口发送输出
2	RX0	I	串口接收输入
3	VSP	AIN	模拟速度参考输入（用于调速）
4	ISS	AIN	单分流电阻电流检测输入（用于相电流采样）
5	VDC	AIN	直流母线电压检测输入
6	IREF	O	过流参考DAC输出（设定过流保护阈值）
7	VDD	P	数字控制器电源（如MCU供电）
8	VCC	P	低侧IGBT栅极驱动电源
9	VSS	P	控制信号地（逻辑参考地）
10	GLV	NC	V相低侧IGBT栅极（PCB上无需连接）
11	VR	P	三相低侧IGBT公共发射极回路（电流返回路径）
12	UN	P	U相低侧IGBT集电极（需在PCB上连接至UP）
13	VN	P	V相低侧IGBT集电极（需在PCB上连接至VP）
14	W/VSW	P	W相输出（自举电容负极连接点）
15	W/VSW	P	W相输出（自举电容负极连接点，冗余设计）
16	VBW	P	W相高侧悬浮电源（自举电容正极连接点）
17	V+	P	直流母线正极（高压电源输入）
18	V+	P	直流母线正极（冗余设计，增强电流承载能力）
19	VBV	P	V相高侧悬浮电源（自举电容正极连接点）
20	VP	P	V相高侧IGBT发射极（需在PCB上连接至VN）
21	VBU	P	U相高侧悬浮电源（自举电容正极连接点）
22	UP	P	U相高侧IGBT发射极（需在PCB上连接至UN）

整机实物图：

原理图：

数字隔离器：

隔离电压	2.5 kVrms（60 秒）

工作电压	VDD1 和 VDD2：2.5V ~ 5.5V

数据速率	最大 150 Mbps

传播延迟（Propagation Delay）

2.5 ns（典型值）

信号边沿延迟差（Skew）

通道间：< 1 ns；器件间：< 3 ns

共模瞬变抗扰度（CMTI）

> 100 kV/μs

开关电源：

LNK304DG(工作模式)：

Buck（降压）：适用于输出电压低于输入电压的情况。

Buck-Boost（升降压）：适用于输入电压可能高于或低于输出电压的情况。

集成 MOSFET：内置 700V 功率 MOSFET，减少外部元件需求。

IPM电路：

通过单个分流电阻（RS1）检测多路 IGBT 的低边总电流，转换为电压信号后，经电平移位和滤波，送入 MCU 的 ADC 或比较器进行电流监控和过流保护。

• 分流电阻（RS1）：电流→电压转换。

• 电平移位电路（Shift Stage）：调整电压范围以适应 ADC 输入