1、实验Flash在线编程实验一实验目的1进一步熟悉MT-IDE嵌入式开发系统环境、汇编、C语言、调试方式。2进一步学习SCI通信的内容。3掌握Flash存储器在线编程的基本概念。4熟悉GP32芯片Flash存储器的在线编程擦除和写入的步骤。5理解课本中的程序代码。二预习要求1仔细阅读本实验指导书。2通过预习，熟悉GP32芯片flash在线编程的方法。3根据实验内容要求编写好程序，为实验做充分地准备。三实验设备及其连接1PC机一台2MT-IDE嵌入式开发系统一台3串行通信线一根四实验内容1理解Flash在线编程的原理和过程。2运行与理解各子程序。3主程序运行课本的样例程序。4编制一个程序。通过PC机的串口将数据发送到MCU，然后将接收到的数据写入到flash中以地址0x8000开始的一页。最后将写入的数据读出发送到PC端校验。五编程提示1按照结构要求写好编程代码和注释。2在对Flash擦除和写入时要严格按照手册上的时序和步骤来编制子程序。(1)页擦除操作下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节): $2FLCR(1ERASE位，0MASS位):进行页面擦除； 读Flas。

2、h块保护寄存器FLBPR； 向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0； 延时tnvs(10s)； $AFLCR(1HVEN位)； 延时terase(1ms)； $8FLCR(0ERASE位)； 延时tnvh(5s)； $0FLCR(0HVEN位)； 延时trcv(1s)，完成一页的擦除操作。(2)整体擦除操作下面过程擦除GP32的整个Flash区域，以便把新的程序装入Flash存储器，这是应用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。 6FLCR(1ERASE位，1MASS位):进行整体擦除； Flash块保护寄存器FLBPR； 向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向首地址写入0； 延时tnvs(10s)； $EFLCR(1HVEN位、MASS位、ERASE位)； 延时tMerase(4ms)； $CFLCR(0ERASE位)； 延时tnvhl(100s)； $0FLCR(0HVEN位、MASS位)； 延时trcv(1s)，完成整体擦除操作。(3)编程操作MC68HC908GP32的Flash编程操作以行(64。

3、字节)为单位进行的。当然，一次写入可以小于一行，但不能大于一行。对于已经写过的部分未经擦除不能重新写入变更其数据，否则将引起数据出错。写入过程如下:a. $1FLCR(1PGM位)；b. 读Flash块保护寄存器FLBPR；c. 向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入0，这一步选定了所要编程的行，以下的目标地址必需在这一行中；d. 延时tnvs(10s)；e. $9FLCR(1HVEN位)；f. 延时tpgs(5s)；g. 待写数据写入对应的Flash地址；h. 延时tprog(30s)，完成一个字节的写入(编程)工作；i. 重复g、h，直至同一行内各字节写入完毕；j. $8FLCR(0PGM位)；k. 延时tnvh(5s)；l. $0FLCR(0HVEN位)；m. 延时trcv(1s)以后，完成本行写入工作，可以读出校验。3在实际调用擦除或写入子程序时，由于要对flash加高压，此时对flash的读写是不稳定的，所以要将其移到ram区执行。六实验报告要求1小结GP32的flash编程的原理及方法。2回答下列问题(1)flash在线编程的过程中有哪些注意点？(2)当用flash区存储一些需要变动的参数时，应如何注意哪些问题？。

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