PL3327是聚元微推出的「原边控制 + 内置650V MOSFET」反激式功率开关系列，涵盖DIP7、SOP7、SOP8四种封装，单颗芯片即可输出5V-24V/18W以内电源。它把传统方案中的光耦、TL431、高压MOSFET、启动电阻全部省掉，BOM从25颗压缩到12颗，峰值效率>87%，空载功耗<75mW，单层PCB过EMI Class B，是手机充电器、小家电辅助电源、LED驱动等场合的“极简三件套”——芯片+变压器+几颗阻容即可量产。
型号一览
| 型号 | 封装 | 内MOS | 推荐功率 | 特点 |
|---|---|---|---|---|
| PL3327CD | DIP7 | 650V/2.5Ω | ≤18W | 插件，散热好 |
| PL3327CS | SOP7 | 650V/2.5Ω | ≤15W | 贴片，超薄 |
| PL3327CE | SOP8 | 650V/2.5Ω | ≤18W | 多一脚，大铜皮 |
| PL3327CF | SOP8 | 650V/2.5Ω | ≤18W | 同CE，脚序优化 |
四款芯片脚位兼容，仅封装差异，一周内可完成插件↔贴片切换。
管脚分布与功能
关键脚位说明
FB：外接分压电阻到辅助绕组，0.95-1.05V基准，内置12µA线补偿电流
VCC：7V启动，27V钳位，自供电架构，无需启动电阻
DRAIN：650V/2.5Ω，最大峰值电流≈2A，可直接驱动EE16变压器
内部框架图解读
下图展示了一颗“模拟电源SoC”：
高压MOSFET+启动电路
650V/2.5Ω，Rdson典型2.5Ω；1µA启动电流，省去启动电阻与VCC二极管。原边CV/CC双环路
恒压：FB采样辅助绕组退磁电压，与2.5V基准比较
恒流：CS峰值电流+退磁比例49%，实现±5%恒流精度
自适应PWM/PFM
重载120kHz PWM；中载降频；空载550Hz跳周期，待机<75mW，无音频噪音。全套保护
OCP/UVLO/OVP/OTP，全部自恢复；300ns前沿消隐，EMI裕量>6dB。
典型应用图——18W 12V1.5A Demo
变压器：EE16，Lp=1.8mH，Np:Ns=120:18
输出电容：470µF×2，纹波<120mV
单层PCB 42×35mm，BOM 12颗，峰值效率87%
关键设计公式
输出电压设定
Vo = (Vref_EA/RFBL × RFBH + Vref_EA) × Ns/Nf - VD
Vref_EA=2.5V，内置12µA线补电流，RFBH越大补偿越强。恒流点设定
Io = 0.5 × Lm × Fsw × IPK² × η / Vo
IPK已内置，只需调变压器匝比即可改变电流。变压器规格
EE13/EE16，Lp=1.2-2.2mH
漏感<5µH，降低尖峰
Bmax<0.28T@90V满载
PCB布局
VCC旁路1µF+100nF紧靠4脚
FB分压节点远离原边动点，走线<5mm
功率环面积<30mm²，副边二极管-输出电容最短回地
封装与散热选择
| 封装 | 热阻 θJA | 推荐功率 | 特点 |
|---|---|---|---|
| DIP7 | 85°C/W | ≤18W | 插件，散热好 |
| SOP7 | 120°C/W | ≤15W | 单面纸基板可用 |
| SOP8 | 110°C/W | ≤18W | 多脚大铜皮，散热优 |
散热技巧：SOP 底部焊盘打 9 孔 0.3mm 到内层地，温升再降 10°C。
与上一代 RCC/线性电源对比
| 项目 | RCC | PL3327CD |
|---|---|---|
| 器件数量 | 30+ | 12 |
| 效率 | 68% | 87% |
| 空载功耗 | 250mW | 65mW |
| 输出精度 | ±8% | ±3% |
| 认证 | 需改板 | 单层PCB过EMI B |
| 调试 | 复杂 | 零调试 |
总结
PL3327系列用一颗 DIP7/SOP7/SOP8 就把 650V MOSFET、原边 CV/CC、自适应 PWM/PFM、全套保护全部集成，提供 18W 级别「极简、高效、低成本」三合一体验：
BOM 从 30 颗砍到 12 颗，成本立降 35%
87% 峰值效率，65mW 待机，轻松满足全球能效
零调试、单层板过 EMI，产线良率>99%
四封装兼容，一周完成插件↔贴片切换
