问：为什么三极管共射放大电路调试是 PCB 板功能验证的关键环节？三极管共射放大电路是模拟电子电路的基础拓扑，广泛应用于信号放大、滤波、振荡等场景，其性能直接决定了 PCB 板上模拟模块的功能稳定性。在 PCB 制造完成后，电路参数会因元器件离散性、布线寄生参数、焊接工艺误差等因素偏离理论设计值，比如三极管的 β 值离散性可能导致静态工作点偏移，PCB 布线的寄生电容会影响电路的频率响应。
调试的核心目的就是通过测量和调整，让电路的静态工作点、电压放大倍数、频率特性等指标达到设计要求，同时排查短路、虚焊、元器件损坏等 PCB 制造缺陷。如果跳过调试环节，电路可能出现信号失真、放大倍数不足、自激振荡等问题，直接导致整个 PCB 板功能失效，因此调试是 PCB 板从 “硬件成型” 到 “功能达标” 的必经之路。
问：共射放大电路调试前，需要做哪些 PCB 层面的检查准备？调试前的 PCB 检查是避免调试过程中损坏元器件、提高调试效率的关键，需从外观、通路、绝缘三个维度进行：
外观检查目视检查 PCB 板上的元器件焊接情况：三极管引脚是否存在虚焊、连锡，电阻、电容、电源模块的焊点是否饱满，元器件封装是否与设计一致（如三极管是 TO-92 封装还是 SOT-23 封装）。同时检查 PCB 板上的丝印、焊盘是否有氧化、脱落，确保无明显物理损伤。
通路与短路检查使用万用表的蜂鸣档，测量三极管各引脚与设计对应焊盘的通路情况，比如基极（b）是否与偏置电阻 Rb 的一端连通，集电极（c）是否与负载电阻 Rc 连通；重点测量电源正极与地之间是否存在短路，避免通电后烧毁电源或元器件。若存在短路，需排查是否是焊盘连锡或元器件击穿。
绝缘检查对于高密度 PCB 板，测量相邻导线、焊盘之间的绝缘电阻，要求绝缘电阻≥10MΩ，防止因 PCB 基板漏电导致电路工作异常。
问：共射放大电路调试需要准备哪些仪器设备？各自的作用是什么？根据调试需求，需准备基础测量仪器和辅助设备，具体选型和作用如下：
直流稳压电源作用：为电路提供稳定的直流工作电压，替代电池等不稳定电源。调试时建议选择可调式直流稳压电源，输出电压范围 0-30V，输出电流≥1A，支持电压、电流实时显示，便于观察电路的供电状态。
万用表作用：测量电路的静态工作点参数，包括三极管各极的直流电压（Vb、Vc、Ve）、电阻阻值、电源电流等。建议选择数字万用表，直流电压测量精度≥±0.1V，电阻测量范围覆盖 1Ω-10MΩ，满足调试精度需求。
示波器作用：观察电路的动态信号波形，判断信号是否失真、放大倍数是否达标、是否存在自激振荡。建议选择双通道示波器，带宽≥100MHz，采样率≥1GS/s，支持波形存储和参数测量（如峰峰值、频率），便于对比输入输出信号。
函数信号发生器作用：为共射放大电路提供标准的输入测试信号，如正弦波、方波。调试时通常输入 1kHz、峰峰值 50mV 的正弦波，观察输出信号的变化。要求信号发生器输出频率范围 1Hz-1MHz，幅值可调，波形失真度≤1%。
面包板（可选）作用：对于新手或需要验证电路拓扑的场景，可先在面包板上搭建实验电路，调试达标后再移植到 PCB 板上，降低 PCB 板调试风险。
问：如何制定共射放大电路的调试流程？核心调试步骤是什么？共射放大电路的调试需遵循 “先静态，后动态；先空载，后带载” 的原则，避免因动态信号干扰导致静态工作点测量不准，核心流程分为 4 步：
静态调试（无输入信号）断开函数信号发生器，仅给电路接通直流电源。使用万用表测量三极管的基极电压 Vb、发射极电压 Ve、集电极电压 Vc，计算发射极电流 Ie≈(Vb-Vbe)/Re（硅管 Vbe≈0.7V）、集电极电流 Ic≈β・Ib，判断静态工作点是否在设计的线性放大区。
动态空载调试（有输入信号，无负载）接入函数信号发生器，输入标准正弦波信号，使用示波器观察输出信号波形。测量输入信号峰峰值 Uip-p 和输出信号峰峰值 Uop-p，计算电压放大倍数 Au≈-Uop-p/Uip-p，同时观察输出波形是否存在截止失真或饱和失真。
动态带载调试（有输入信号，接负载）在电路输出端接入设计负载（如扬声器、后级电路），重复动态空载调试的测量步骤，观察负载对放大倍数和波形的影响，调整电路参数以满足带载要求。
稳定性调试延长电路通电时间（如 1 小时），监测静态工作点和输出波形的变化，排查因温度漂移导致的工作点偏移问题；同时观察是否存在自激振荡波形，确保电路在全工作频段内稳定。
问：调试前如何确定共射放大电路的理论静态工作点？理论静态工作点是调试的参考基准，需根据电路设计参数计算，以典型的分压式偏置共射放大电路为例：
已知参数电源电压 Vcc、基极偏置电阻 Rb1、Rb2、集电极负载电阻 Rc、发射极电阻 Re、三极管电流放大系数 β。
计算步骤① 计算基极电位 Vb：分压式偏置电路中，若满足 I2>>Ib（通常 I2≥10Ib），则 Vb≈Vcc・Rb2/(Rb1+Rb2)；② 计算发射极电位 Ve：Ve=Vb-Vbe，硅管取 Vbe=0.7V，锗管取 Vbe=0.2V；③ 计算发射极电流 Ie：Ie=Ve/Re；④ 计算集电极电流 Ic：在放大区，Ic≈Ie；⑤ 计算集电极电位 Vc：Vc=Vcc-Ic・Rc；⑥ 计算集 - 射极电压 Vce：Vce=Vc-Ve。
设计时，通常要求 Vce 在 (1/3~1/2) Vcc 之间，确保三极管工作在线性放大区。例如，Vcc=12V 时，Vce 的合理范围为 4-6V，若计算出的 Vce 过小（如 < 1V），则三极管可能进入饱和区；若 Vce 过大（如 > 10V），则可能进入截止区。
