一、不同存储芯片的驱动共性：标准化接口设计
1.1 JEDEC标准：工业界的通用语言
在嵌入式存储领域，虽然不同厂商生产的NOR Flash、PSRAM等存储芯片在性能、价格上有所差异，但它们都遵循一个共同的标准——JEDEC（固态技术协会）标准。这种标准化设计带来了几个重要优势：
引脚兼容性：所有x16 NOR Flash（如SST39VF800A、MX29LV800、AM29LV800等）采用相同的48-pin TSOP封装和引脚定义
命令集统一：基本操作命令（读ID、编程、擦除）使用相同的地址-数据序列
时序模板一致：读周期、写周期、擦除周期的时间波形基本结构相同
1.2 时序参数差异：性能与成本的权衡
不同厂商和型号的芯片主要在时序参数上有所差异：
| 芯片型号 | 读访问时间 | 字编程时间 | 扇区擦除时间 | 价格等级 | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|---|
| SST39LF800A-55 | 55ns | 14μs | 18ms | 高 | 高速实时系统 |
| SST39VF800A-70 | 70ns | 14μs | 18ms | 中 | 工业控制 |
| SST39VF800A-90 | 90ns | 14μs | 18ms | 低 | 消费电子 |
| MX29LV800-70 | 70ns | 12μs | 16ms | 中 | 通用嵌入式 |
关键理解：这些芯片的硬件接口完全相同，可以直接替换使用，只需根据具体型号调整FMC的时序参数。
1.3 FMC/FSMC的通用驱动能力
STM32的FMC（Flexible Memory Controller）或FSMC设计时已考虑到这种标准化需求：
// 所有NOR Flash都使用相同的基本操作 uint16_t read_data = *(volatile uint16_t*)0x60000000; // 读取 *(volatile uint16_t*)0x60000000 = 0x5555; // 写入（需要命令序列）
FMC会根据你在代码中调用的不同映射地址来自动调用不同Bank，不同bank会自动生成适配不同类型的存储的时序，所以访问特定映射地址就能自动生成适合NOR Flash/PSRAM的时序波形只是你的address set timw 那些具体参数要在cube max中配置因为不同型号的快慢不一样，包括：
地址建立和保持时间
数据建立时间
片选(CE#)、输出使能(OE#)、写使能(WE#)的时序关系
二、CubeMX快速配置FMC指南
2.1 配置步骤
以STM32G474连接SST39VF800A为例：
开启FSMC：在CubeMX中，进入
Connectivity → FSMC选择模式：启用
NOR/PSRAM 1控制器配置存储类型：
Memory type:
NOR FlashData width:
16 bitsBank selection:
Bank 1(对应NE1，基地址0x60000000)
时序参数设置：
// 针对70ns NOR Flash的典型配置（HCLK=100MHz，10ns周期） Address setup time: 1 HCLK cycle (10ns) Address hold time: 0 HCLK cycles Data setup time: 2 HCLK cycles (20ns) Bus turnaround: 0 HCLK cycles CLK division ratio: 2 Data latency: 4 HCLK cycles (40ns) Total read time: 10+20+40=70ns ✓
引脚自动分配：CubeMX会自动配置地址线、数据线、控制线引脚
2.2 生成代码结构
生成的初始化代码包括：
void MX_FSMC_Init(void) { FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef Timing = {0}; // 配置时序参数 Timing.AddressSetupTime = 1; Timing.AddressHoldTime = 0; Timing.DataSetupTime = 2; // ... 其他参数 // 初始化FSMC FSMC_NORSRAM_Init(&hsram1, &Timing); // 使能FSMC Bank FSMC_NORSRAM_Enable(&hsram1, FSMC_NORSRAM_BANK1); }2.3 硬件连接检查
配置完成后，确认以下关键引脚连接：
CE#（片选）：连接FSMC_NE1（通常是PG9）
OE#（输出使能）：连接FSMC_NOE（PD4）
WE#（写使能）：连接FSMC_NWE（PD5）
A0-A18（地址线）：连接FSMC_A0-A18
D0-D15（数据线）：连接FSMC_D0-D15
RESET#：必须上拉（连接到VCC）
WP#：如果使用写保护，需要上拉
三、为什么能读不能写：NOR Flash与RAM的本质区别
3.1 现象分析
许多初学者会遇到这样的问题：
// 这段代码能正常读取 volatile uint16_t *flash_addr = (volatile uint16_t*)0x60001000; uint16_t data = *flash_addr; // 读取成功 // 但这行代码不能写入 *flash_addr = 0x1234; // 写入无效，数据不变
3.2 根本原因：存储物理机制不同
RAM（随机存取存储器）：
直接可写：通过改变电容电荷或触发器状态直接存储数据
按字节/字寻址：每个存储单元可以直接访问
易失性：断电后数据丢失
NOR Flash（闪存）：
只能编程，不能直接写：通过Fowler-Nordheim隧穿效应改变浮栅晶体管电荷
只能1→0，不能0→1：位只能从高电平变为低电平
必须先擦除：擦除操作将整个扇区恢复为全1（0xFFFF）
需要命令序列：必须发送特定命令到命令寄存器
3.3 NOR Flash的正确写入流程
// 错误：直接写入（无效） *flash_addr = 0x1234; // 正确：使用命令序列写入 bool SST_ByteProgram(uint32_t address, uint16_t data) { // 1. 发送解锁序列 SST_WRITE_CMD(0x5555, 0x00AA); // 解锁1 SST_WRITE_CMD(0x2AAA, 0x0055); // 解锁2 // 2. 发送编程命令 SST_WRITE_CMD(0x5555, 0x00A0); // 编程命令 // 3. 写入目标地址和数据 *((volatile uint16_t*)(NOR_FLASH_BASE_ADDR + address)) = data; // 4. 等待编程完成（通过Toggle Bit或Data# Polling） return SST_WaitForOperationComplete(address, data, false); }3.4 FMC在读写操作中的不同角色
读操作时：
FMC生成标准的读时序（CE#↓ → OE#↓ → 读取数据 → OE#↑ → CE#↑）
NOR Flash直接输出数据
过程简单，类似SRAM读取
写操作时：
FMC生成写时序（CE#↓ → WE#↓ → 写入数据 → WE#↑ → CE#↑）
但NOR Flash需要将特定地址的特定数据解释为命令
必须按照数据手册的命令序列发送
3.5 经典故障排查
问题：可以读取Flash内容和ID，但不能写入数据。
可能原因及解决方案：
未发送解锁序列：必须先发送AA-55-AA解锁序列
未擦除直接编程：目标地址必须为0xFFFF才能编程
WP#引脚未上拉：写保护引脚必须接高电平
时序不满足：FMC的写时序参数可能太短
电压不稳定：编程时需要稳定的3.3V供电
正确操作流程：
// 完整的使用流程 void LZY_WriteToFlash(uint32_t addr, uint16_t data) { // 1. 检查是否需要擦除 if (NOR_READ(addr) != 0xFFFF) { // 2. 执行扇区擦除 SST_SectorErase(addr & 0xFFFFF000); while (NOR_READ(addr) != 0xFFFF); // 等待擦除完成 } // 3. 执行编程 SST_ByteProgram(addr, data); // 4. 验证 if (NOR_READ(addr) == data) { printf("写入成功\n"); } }
