HN32512 是一款非隔离300MA~600MA降压控制芯片，内置 500V MOS；采用PWM+PFM 相结合的控制方式，实现效率和待机性能的优化，降低了噪声。
HN32512替KP15052SPA,KP15051SPA,KP3210SGA,KP3211SGA,KP3210BSGA,KP3211BSGA
HN32512典型应用图：
HN32512 非隔离降压控制芯片的两种典型应用电路，核心是实现 “输入电压（Vin）→ 稳定输出电压（Vo）” 的降压转换，适用于小家电、传感器等小功率场景。
1. 芯片与电路的核心信息
HN32512 是一款非隔离降压芯片（SOP-8 封装），通过简单的外围元件实现降压稳压，支持多种输出电压场景，下图是两种不同输出电压范围的电路方案：
2. 左侧电路：8V ≤ Vo ≤ 24V
适用场景：输出电压在 8~24V 之间（比如默认 12V，当 FB 引脚悬空时输出 12V）。
关键细节：
FB 引脚接了分压电阻（上下电阻之和需为 150kΩ），用于调节输出电压；
电感、二极管、电容等元件配合芯片，实现降压、滤波、续流功能。
3. 右侧电路：Vo <8V 或 Vo> 25V
适用场景：输出电压低于 8V，或高于 25V 的场景（超出左侧电路的调节范围）。
关键细节：
FB 引脚的分压电路设计不同（电容、电阻的连接方式调整），以适配更宽的电压范围。
4. 电路的作用
这两个电路都是非隔离降压电路，核心是把输入电压（比如 220V 交流电经整流后的高压），通过 HN32512 芯片转换成稳定的低压（如 12V、5V），给小家电、传感器等设备供电，同时芯片自带过压、过流、过温保护功能，提升安全性。
电路内部框构图：
应用指导(Application Guidance)
1.输出电压 Vo，输出电流lo，输入电容建议 1ufV，如10W 就用 10uF;
2CS 基准 500mv，峰值电流取输出电流两倍，CS 电阻取值Rcs=250mv/lo，如输出0.5A，CS 电阻就取250mv/0.5A=0.5 2;
3满载时进入CCM，由于最小消磁(关断)时间 16uS，CCM 取电感电流自峰值下降70%，也就是L=(Vo+1)*16us/(1.4*lo)，比如Vo=12V,10=0.5A，那么L=(12+1)*16us/0.7A=297uH;电感饱和电流必须>2.4*10，比如输出0.5A，电感饱和电流必须>1.2A，选择合适磁芯保证安全;4以上计算是按照比较紧的规格计算的,如果过流点需要留有余量,在完成以上计算后,CS电阻可酌情缩小 10%;5如果 FB是通过 VCC 分压电阻取得反馈，那么 VCC 分压电阻总值应取>=150K比较合理;6.
供电方案的选择:由于芯片VCC工作范围是7.7-28V，UVLO为7.7V，VCC OVP为28V，因此当输出7电压<8V时，输出无法提供 VCC的供电电压，此时只能用自供电，当输出电压在 8-24V范围内，用输出供电最优，可以提高芯片效率(MOS的 gate驱动电压被内部钳位在11-12V);当输出>25V时,离VCC OVP的28V比较近，有可能在负载动态切换时触发VCC OVP，所以此时就建议采用自供电，不要用输出供电。
