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前言

最近，国际顶尖光学期刊《Light: Science & Applications》上发表了一项突破性研究(https://doi.org/10.1038/s41377-025-02130-3)，由新加坡南洋理工大学、哈尔滨工业大学、中国科学院物理研究所等多所机构的联合团队完成。他们首次在一种名为“氧氯化钒（VOCl）”的二维材料中，观测到迄今为止最强的红外非线性光学各向异性现象，其三次谐波产生（THG）各向异性比率高达187倍，刷新了二维材料领域的记录。

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核心内容

研究团队成功制备并系统研究了一种新型二维材料——氯氧化钒（VOCl），它是一种具有反铁磁序的电荷转移莫特绝缘体。主要突破包括：

1.创纪录的非线性光学各向异性

VOCl在红外波段展现出极强的三次谐波产生（THG）各向异性，其各向异性比ρTHG在1280nm激发波长下高达187，是目前所有已知二维材料中的最高值。

2.波长可调的强各向异性

通过调节激发波长，THG各向异性比可从2028nm处的2.6提升至1280nm处的187，增强达72倍，展现出宽波段可调谐特性。

3.层数无关的稳定性能

VOCl具有极弱的层间耦合，其三次非线性磁化率和带隙在单层至多层结构中几乎保持不变，有利于其在异质结与集成器件中的应用。

4.理论机制揭示

通过第一性原理计算与紧束缚模型分析，研究团队指出这种巨大的非线性光学各向异性源于电荷转移莫特绝缘体行为与晶体结构对称性破缺的协同效应。

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研究意义

这项研究不仅刷新了二维材料非线性光学各向异性的纪录，更为未来集成光子学与纳米光电器件的发展提供了新材料平台：

可用于偏振敏感器件，如片上偏振分束器、偏振上转换光电探测器等；

适用于宽带红外非线性光学调制，在光通信、传感与成像中具有潜力；

为强关联电子体系在光子学中的应用打开新窗口，推动“关联光子学”这一新兴方向的发展。

VOCl所展示的“强非线性+高各向异性+层数无关”特性组合，使其成为未来高性能、小型化光子芯片的理想候选材料。研究团队表示，下一步将探索其在超快激光、量子光源及光学计算等领域的实际器件集成。

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结语

随着光学芯片与纳米光子技术迈向更高集成度与更高效能，如VOCl这类具有强关联电子态与极端光学各向异性的二维材料，正成为下一代光电系统的关键材料候选。这项研究不仅推进了二维莫特绝缘体的基础科学认知，也为未来光电子与量子信息技术的发展注入了新的材料动能。

图1：二维半导体VOCl的晶体结构与合成

图2：VOCl中的THG过程

图3：VOCl薄片中的各向异性THG过程

图4：层状VOCl中THG面内大各向异性的阐释

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