2019年，浙江大学的Shu Yang等人在《IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics》上发表了一篇关于GaN（氮化镓）功率器件动态导通电阻（Dynamic On-Resistance, RON）的研究论文。该文深入探讨了GaN功率器件中动态导通电阻退化的机制、表征方法、建模技术以及解决方案。研究指出，动态导通电阻的增加主要源于缓冲层陷阱效应、表面陷阱效应和栅极不稳定性。通过TCAD模拟和高压背栅测量，作者分析了缓冲层中接受体和施主陷阱的动态特性对动态RON的影响，并发现缓冲层中的空间电荷分布对2DEG（二维电子气）导电性有显著调制作用。此外，研究还表明，栅极区域的电子陷阱会导致阈值电压（VTH）正向偏移，进而增加动态RON。作者综述了晶圆级和板级动态RON表征技术，包括脉冲I-V测量和双脉冲测试（DPT），并提出了一种基于RC网络的行为模型来模拟动态RON退化。该模型通过修改栅极电压来反映动态RON变化，为电路分析提供了有效工具。文章还讨论了多种提升GaN器件动态性能的技术方案，包括缓冲层工程、垂直GaN-on-GaN器件技术以及栅极驱动优化。研究结果表明，通过引入正电荷补偿、优化缓冲层结构以及采用垂直GaN器件，可以显著抑制动态RON退化。这些发现对GaN功率器件的设计、优化和应用具有重要的理论和实际意义，为提升其在高频高功率密度电力电子系统中的